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Produktdetails:
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Basis: | 4J29 | Glasisolierung: | BH-A/K |
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Pin: | 4J29 | Isolationswiderstand: | Widerstand DC-500V |
Hermeticity: | ≤1*10^-3Pa.cm3/s | ||
Markieren: | FeNiCo 8pin zum Transistor-Paket-Titel,optische Komponenten 4J29 zum Titel,Robuster Titel FeNiCo Paket-8pin |
Produkt-Name | Robuster Transistor-Entwurfs-Titel mit Kappe | |
Produkt-Modell | JOPTEC | |
Überziehen der Beschichtung | Au oder selektiven überziehenden robusten Transistor-Entwurfs-Titel mit Kappe völlig überziehen | |
Ende | Shell und Stifte sind überzogenes Ni: 2~11.43um und Au≥1.3um; Kappe ist überzogenes Ni: 2~11.43um | |
Produkt-Bildung | Material | Quantität |
1. Basis | 4J29 | 1 |
2. Glasisolierung | BH-A/K | 8 |
3. Pin | 4J29 | 8 |
4. Kappe | 4J42 | 1 |
Isolationswiderstand | Widerstand DC-500V zwischen allen verbundenen Stiften und Basis ist ≥1*10^9Ω | |
Hermeticity | Leckrate ist ≤1*10^-3Pa.cm3/s | |
Produkt-Eigenschaften | 1. Shell nehmen Material an: FeNiCo, FeNi42 oder CRS; | |
2. Die Form des Stiftes ist cyclinder und gerade, nimmt Material Kovar.The-Form des Stiftes verwendet als Verpfändung ist cyclinder oder nailhead an. | ||
3. Die Methode der versiegelnden Kappe ist Stoßschweißen oder Zinnschweißen. | ||
4. Der Rang des Stiftes, die die Unterseite der Basis kreuzen, könnte von den Kunden gewählt werden. | ||
5. Die Position des Massepunkts kann vom Kunden gewählt werden. | ||
6. Der Entwurf von Kappen muss das Oberteil passen. | ||
7. Kunde könnte Oberteil wählen völlig überziehen oder Stiftselektiver Überzug. |
Ansprechpartner: JACK HAN
Telefon: 86-18655618388