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Produktdetails:
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| Material: | GaN | Art: | GaN-FS-10, GaN-FS-15 |
|---|---|---|---|
| Orientierung: | C-Achse (0001) ± 0.5° | TTV: | µm ≤15 |
| Bogen: | ≤ 20 um | Trägerkonzentration: | >5x1017/cm3 |
| Typische Stärke (Millimeter): | N-Typ, halbisolierend | Widerstandskraft (@300K): | < 0="">106 Ω•cm |
| Nutzbare Oberfläche: | > 90% |
Mit einem breiten direkten Bandbreitengefälle ((3.4 eV), starken atomaren Bindungen, hoher Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichneter Strahlungsbeständigkeit ist GaN nicht nur ein optoelektronisches Material mit kurzer Wellenlänge, sondernaber auch ein gutes Alternativmaterial für hochtemperaturhalbleitende GeräteAufgrund der stabilen physikalischen und chemischen Eigenschaften eignet sich GaN für LED-Anwendungen (blaues, grünes, UV-Licht), ultraviolette Detektoren und optoelektronische Hochleistungs- und Hochfrequenzgeräte.
| Spezifikation | ||
| Typ | Gewichtung der Zellen: | Einheit für die Überwachung der Sicherheit von Fahrzeugen |
| Größe | 10.0 mm × 10,5 mm | 14.0 mm × 15,0 mm |
| Stärke |
Rang 300, Rang 350, Rang 400 |
300 ± 25 μm, 350 ± 25 μm, 400 ± 25 μm |
| Orientierung | C-Achse ((0001) ± 0,5° | |
| TTV | ≤ 15 μm | |
| Bogen | ≤ 20 μm | |
| Trägerkonzentration | > 5x1017/cm3 | / |
| Leitungsart | N-Typ | Halbdämmstoffe |
| Widerstand ((@300K) | < 0,5 Ω•cm | > 106Ohmcm |
| Ausrutschdichte | weniger als 5x106cm-2 | |
| Nutzfläche | > 90% | |
| Polstern |
Vorderfläche: Ra < 0,2 nm. Rückenoberfläche: Feiner Boden |
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| Paket | Verpackt in einem sauberen Raum der Klasse 100, in Einfachwaferbehältern unter Stickstoffatmosphäre. | |
Ansprechpartner: JACK HAN
Telefon: 86-18655618388
